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射频芯片解决方案

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LXK-6601E 射频功放芯片

时间 2014-09-02 16:09:58 浏览 次 稿件来源:厦门雷迅科

芯片描述:

 LXK-6601E是一颗功率放大器芯片,主要应用在2G/3G/4G移动通信系统、广电传输系统以及射频微波测试仪器中,如PICO, femtocell,Repeater等设备。芯片具有高增益、宽频带、高稳定性以及高可靠性的优异性能.,采用有源偏置电路,具有温度补偿与功率检测功能。

使用条件:

Symbol

Parameter

Minimum

Typical

Maximum

Units

f

Operating frequency

2300

 

2700

MHz

VCC1, VCC2, VCC3

Supply voltage for stage-1,2&3

4.75

5.0

5.25

V

Vref

Reference voltage for bias circuit

2.75

2.85

2.95

V

Vccb

Supply voltage for bias circuit

4.5

5.0

5.5

 

TA

Operating temperature

-40

25

75

OC

 

技术指标:

          For 2.3GHz LTE Application

Symbol

Parameter

Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

f

Frequency

-

2300

 

2400

MHz

P1dB

1dB gain compression point

1dB gain compression

 

33

 

dBm

S21

Small signal gain

Pin=-20dBm

 

35

 

dB

△S21

Small signal gain variation

Gain variation over band

 

0.5

 

dB

S11

Input return loss

-

 

 

-10

dB

Pout

Output power for TDD-LTE

TDD-LTE-20MHz, EVM<4%

 

28

 

dBm

 

         For 2.6GHz LTE Application

Symbol

Parameter

Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

f

Frequency

-

 

2600

 

MHz

P1dB

1dB gain compression point

1dB gain compression

 

31

 

dBm

S21

Small signal gain

Pin=-20dBm

 

32

 

dB

△S21

Small signal gain variation

Gain variation over band

 

0.5

 

dB

S11

Input return loss

-

 

 

-10

dB

Pout

Output power for TDD-LTE

TDD-LTE-20MHz, EVM<4%

 

28

 

dBm

 
      封装信息:

                                      

                                          QFN3×3 


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